[发明专利]一种双层钼薄膜及其制备方法、薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201810444668.3 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108511328B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 谢敬佩;赵海丽;毛爱霞;苌清华;马窦琴;陈艳芳;梁婷婷;王爱琴;王文焱 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 张兵兵 |
| 地址： | 471003 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池用双层钼薄膜及其制备方法、薄膜太阳能电池，属于太阳能电池技术领域。本发明的薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)通过射频溅射法在基底上沉积形成钼薄膜底层；2)通过直流溅射法在第一钼薄膜层上沉积形成钼薄膜顶层。本发明的双层钼薄膜的制备方法简单高效，工作效率高，工作成本低。利用本发明的方法所制备的双层钼薄膜兼具高导电性及高反射率的优点，在提高薄膜太阳能电池的转化效率方面具有很高的使用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 薄膜 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜太阳能电池用双层钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)通过射频溅射法在基底上沉积形成钼薄膜底层；2)通过直流溅射法在第一钼薄膜层上沉积形成钼薄膜顶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
