[发明专利]具有宽温区零热膨胀效应的(Hf,Ta)Fe2 有效
申请号: | 201810446049.8 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108517469B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 龚元元;王经纬;徐锋;卢国文;陈栋 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学;江苏晨朗电子集团有限公司 |
主分类号: | C22C38/12 | 分类号: | C22C38/12;H01F1/01 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红 |
地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明公开了一种具有宽温区零热膨胀效应的(Hf,Ta)Fe |
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搜索关键词: | 具有 宽温区零 热膨胀 效应 hf ta fe base sub | ||
【主权项】:
1.一种具有宽温区零热膨胀效应的(Hf,Ta)Fe2磁相变合金,其特征在于,所述的磁相变合金原子表达式为Hf0.87Ta0.13Fe2,其在15K‑250K温区内,具有零热膨胀效应。
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