[发明专利]具有宽温区零热膨胀效应的(Hf,Ta)Fe2有效

专利信息
申请号: 201810446049.8 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN108517469B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 龚元元;王经纬;徐锋;卢国文;陈栋 申请(专利权)人: 南京理工大学;江苏晨朗电子集团有限公司
主分类号: C22C38/12 分类号: C22C38/12;H01F1/01
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具有宽温区零热膨胀效应的(Hf,Ta)Fe2磁相变合金及其应用,所述的磁相变合金原子表达式为Hf0.87Ta0.13Fe2,其在15 K‑250 K温区内,具有零热膨胀效应。本发明发现Hf0.87Ta0.13Fe2在124 K‑250 K温区具有极低的热膨胀系数α=1.5×10‑7 K‑1,在已制备的具有零热膨胀效应的合金大多是用负热膨胀材料与正热膨胀材料互相复合的方法制备,工艺复杂,对设备要求较高导致成本很高,而且通常存在零热膨胀温区很窄和热膨胀系数偏大等缺点,难以实际应用,而本发明的(Hf,Ta)Fe2磁相变合金具有宽温区的零热膨胀效应且热膨胀系数极小,可以满足实际应用。
搜索关键词: 具有 宽温区零 热膨胀 效应 hf ta fe base sub
【主权项】:
1.一种具有宽温区零热膨胀效应的(Hf,Ta)Fe2磁相变合金,其特征在于,所述的磁相变合金原子表达式为Hf0.87Ta0.13Fe2,其在15K‑250K温区内,具有零热膨胀效应。
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