[发明专利]半导体纳米晶体颗粒、其制造方法和包括其的电子器件在审
| 申请号： | 201810447024.X | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108865109A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李晶姬;张银珠;康玄雅;金泰亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;H01L51/50;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的电子器件，所述半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)。在所述半导体纳米晶体颗粒中，碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体纳米晶体 半导体材料 电子器件 最大发射峰 蓝色光 波长 制造 发射 | ||
【主权项】：
1.半导体纳米晶体颗粒，其包括锌，碲，和硒，其中碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于470纳米(nm)的波长处的最大发射峰的蓝色光。
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