[发明专利]新型陶瓷塞及具有该新型陶瓷塞的静电卡盘装置有效
| 申请号： | 201810447100.7 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108649012B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 唐娜娜;杨鹏远;王建冲;韩玮琦;侯占杰;张玉利;黎远成;荣吉平;姜鑫;李金亮 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型陶瓷塞及具有该新型陶瓷塞的静电卡盘装置，属于半导体晶片加工装置领域。所述新型陶瓷塞包括从上至下依次连接的陶瓷塞上部、多孔陶瓷柱和陶瓷套管，陶瓷塞上部包括圆柱部和设置在圆柱部的上部的环形凸台部，环形凸台部的中部设置有第一冷却气体孔，圆柱部的中部设置有第二冷却气体孔，陶瓷套管的中部设置有第三冷却气体孔。本发明能够避免静电卡盘冷却气体均布板的冷却气体孔处产生电弧现象。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 陶瓷 具有 静电 卡盘 装置 | ||
【主权项】：
1.一种新型陶瓷塞，其特征在于，包括从上至下依次连接的陶瓷塞上部、多孔陶瓷柱和陶瓷套管，所述陶瓷塞上部包括圆柱部和设置在所述圆柱部的上部的环形凸台部，所述环形凸台部的中部设置有第一冷却气体孔，所述圆柱部的中部设置有第二冷却气体孔，所述陶瓷套管的中部设置有第三冷却气体孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华卓精科科技股份有限公司，未经北京华卓精科科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810447100.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三自由度点胶定位平台
- 下一篇：有源区的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
