[发明专利]半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法在审
| 申请号： | 201810447296.X | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN110473919A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 林永丰;周政伟;章思尧;周政道;陈秀明 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王涛;刘淼<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法，半导体结构包含基底、可流动介电材料以及氮化镓系(GaN‑based)半导体层。基底具有坑洞(pit)从该基底的上表面暴露出来，可流动介电材料填满坑洞，并且氮化镓系半导体层设置在基底和可流动介电材料之上。本发明可以提升半导体装置的制造良品率，并降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 可流动介电材料 半导体结构 坑洞 高电子迁移率晶体管 氮化镓系半导体层 半导体装置 半导体层 氮化镓系 工艺成本 良品率 上表面 填满 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n一基底，具有一坑洞从该基底的上表面暴露出来；/n一可流动介电材料，填满该坑洞；以及/n一氮化镓系半导体层设置在该基底与该可流动介电材料之上。/n
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