[发明专利]基于以沉积的非晶半导体材料为基础形成的晶体半导体材料的技术和相关半导体器件有效
| 申请号： | 201810448016.7 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN109786326B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | E·J·史密斯 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基于以沉积的非晶半导体材料为基础形成的晶体半导体材料的技术和相关半导体器件。公开了一种以非常薄的半导体基底材料和沉积在其上的非晶半导体材料为基础来形成晶体半导体材料的方法。可以通过使用例如在380nm以下的适当的辐射波长来应用基于辐射的退火工艺技术，以便有效地将能量沉积限制到表面附近区域。可以可靠地保留半导体基底材料的固态和晶体底部，从而实现覆盖材料部分的结晶化，特别是先前沉积的非晶半导体材料的结晶化。完全耗尽的SOI晶体管元件的非常薄的沟道区域可以用作半导体基底材料，在该基底材料上在稍后的制造阶段中可以形成升高的漏极和源极区域，从而基本上避免任何工艺不规则性，其通常与在非常薄的半导体基底材料上的半导体材料的外延生长相关。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 沉积 半导体材料 基础 形成 晶体 技术 相关 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底上方形成的晶体半导体基底层上沉积非晶半导体层；以及通过将所述非晶半导体层暴露于具有380nm或更小的波长的辐射以将所述非晶半导体层和所述晶体半导体基底层的表面层熔化，来将所述非晶半导体层转换为转换的晶体半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯美国公司，未经格芯美国公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810448016.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：小直径晶片的制造方法
- 下一篇：半导体器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
