[发明专利]一种嵌段共聚物、制备周期性纳米结构的引导组装方法和嵌段聚合物模板在审

专利信息
申请号: 201810448232.1 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN108546328A 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 季生象;张潇飒;韩苗苗 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: C08G63/08 分类号: C08G63/08;C08G63/78;C08G64/18;B82Y40/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 130022 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了一种嵌段共聚物及纳米结构的引导组装方法,首先在具有图案的基材上涂覆嵌段共聚物的材料;然后引导所述嵌段共聚物在基材上进行相分离,得到垂直于基材、贯穿整个薄膜厚度的纳米结构,形成纳米结构的图形。该嵌段共聚物中,其中一个嵌段由式(1)、式(2)或式(3)所示单体中的一种或多种开环聚合获得。本发明将包含聚ɑ‑羟基羧酸嵌段和/或聚碳酸酯嵌段的嵌段共聚物,其表面能相同或相近并且具有高χ值,就能得到垂直于基材的纳米结构。可以通过调节嵌段共聚物的分子量,直接引导组装得到更小尺寸的纳米结构,满足半导体行业制备半节距小于11nm芯片的需求,同时工艺简单,容易整合到现今半导体行业的生产流程中。
搜索关键词: 嵌段共聚物 纳米结构 基材 式( 1 ) 式( 2 ) 半导体行业 组装 嵌段 制备 垂直 周期性纳米结构 聚碳酸酯嵌段 嵌段聚合物 开环聚合 生产流程 羟基羧酸 表面能 相分离 节距 涂覆 整合 薄膜 芯片 图案 贯穿
【主权项】:
1.一种嵌段共聚物,其特征在于,所述嵌段共聚物中,其中一个嵌段由式(1)、式(2)或式(3)所示单体中的一种开环均聚获得;或者,所述嵌段共聚物中,其中一个嵌段由式(1)、式(2)或式(3)所示单体中的两种或多种开环共聚获得;其中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自H、卤素、C1~C12的烷基及其衍生物、C2~C12的烯基及其衍生物、C2~C12的炔基及其衍生物、C3~C8的环烷基及其衍生物、C6~C30的芳基及其衍生物、C4~C30的杂环及其衍生物;且,所述均聚时,R1与R2不同时为H或甲基;所述共聚时,R1与R2不同时为甲基。
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