[发明专利]半导体器件栅极间隔件结构及其方法有效
| 申请号： | 201810449654.0 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN109817715B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 黄国长;卢富鹏;刘峻昌;黄镇球 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底，具有沟道区；栅极堆叠件，位于沟道区上方；密封间隔件，覆盖栅极堆叠件的侧壁，密封间隔件包括氮化硅；栅极间隔件，覆盖密封间隔件的侧壁，栅极间隔件包括氧化硅，栅极间隔件具有第一垂直部分和第一水平部分；以及第一介电层，覆盖栅极间隔件的侧壁，第一介电层包括氮化硅。本发明的实施例还涉及半导体器件栅极间隔件结构及其方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 间隔 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，具有沟道区；栅极堆叠件，位于所述沟道区上方；密封间隔件，覆盖所述栅极堆叠件的侧壁，所述密封间隔件包括氮化硅；栅极间隔件，覆盖所述密封间隔件的侧壁，所述栅极间隔件包括氧化硅，所述栅极间隔件具有第一垂直部分和第一水平部分；以及第一介电层，覆盖所述栅极间隔件的侧壁，所述第一介电层包括氮化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810449654.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
