[发明专利]一种降低电机低速大转矩区内电磁损耗的优化方法在审
| 申请号： | 201810450290.8 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108631675A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张承宁;冯艳丽 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H02P21/02 | 分类号： | H02P21/02;H02P21/30 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低电机低速大转矩区内电磁损耗的优化方法，其通过考虑磁饱和效应下的SVPWM控制模型，建立电机电磁损耗的计算模型，从而得到了电机低速大转矩区内降低电磁损耗的优化方法，为电机峰值转矩的提高提供了理论依据，实现了现有技术中所不具备的诸多效果。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁损耗 电机 大转矩 优化 电机电磁 峰值转矩 计算模型 磁饱和 | ||
【主权项】：
1.一种降低电机低速大转矩区内电磁损耗的优化方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤一、获取电机在不同电流下的dq轴磁链数据，根据dq轴磁链与电流关系建立考虑磁饱和效应的电机电压、磁链和电磁转矩方程；步骤二、根据步骤所建立的所述方程建立非线性磁链下的电机SVPWM控制模型，得到电机在低速大转矩工况下的相电流；步骤三、基于所述步骤二中得到的所述相电流，建立电机在SVPWM控制下考虑磁饱和效应的电磁损耗计算模型；步骤四、利用所述步骤三中所建立的电磁损耗计算模型，对电机定子齿宽和导线并绕根数对所述低速大转矩工况下电磁损耗的影响进行分析，实施降低所述电磁损耗的优化策略。
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