[发明专利]一种精确控制DLC膜层厚度的DLC膜层制备方法在审
申请号: | 201810450574.7 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108505017A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 辛存良;谢洪涛;何世安 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十六研究所 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/32;C23C16/02 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 奚华保 |
地址: | 230043 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种精确控制DLC膜层厚度的DLC膜层制备方法,包括以下步骤:(1)对耐磨零部件进行多道清洗;(2)将清洗后的耐磨零部件放在N2气氛下烘干;(3)将烘干后的耐磨零部件放置在真空腔体中,并对真空腔体进行抽真空处理,直至真空腔体的真空度高于1×10‑6mbar时,开始进行DLC镀膜;(4)采用Ar气离子对耐磨零部件进行轰击;(5)采用正己烷和四甲基硅烷在耐磨零部件的表面进行沉积DLC膜层;(6)沉积DLC膜层后,进行破真空冷却至室温后,取出耐磨零部件,测量DLC膜层的厚度。本发明能够对DLC膜层的厚度进行精确控制,保证耐磨零部件摩擦副之间的配合间隙,而且无需再进行配磨加工工序,节省了装配时间,提高了特种设备零部件的装配效率。 | ||
搜索关键词: | 耐磨零部件 真空腔体 层厚度 烘干 沉积 制备 清洗 抽真空处理 四甲基硅烷 配合间隙 特种设备 装配效率 磨加工 破真空 正己烷 轰击 离子 装配 零部件 冷却 摩擦 测量 取出 保证 | ||
【主权项】:
1.一种精确控制DLC膜层厚度的DLC膜层制备方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)对耐磨零部件进行多道清洗,去除耐磨零部件上的油污及表面附着物;(2)将清洗后的耐磨零部件放在N2气氛下烘干;(3)将烘干后的耐磨零部件放置在真空腔体中,并对真空腔体进行抽真空处理,直至真空腔体的真空度高于1×10‑6mbar时,开始进行DLC镀膜;(4)采用Ar气离子对耐磨零部件进行轰击,以进一步清除耐磨零部件表面附着物,并活化耐磨零部件表面;(5)采用正己烷和四甲基硅烷在耐磨零部件的表面进行沉积DLC膜层;DLC膜层包括SiC层、SiC和C层、C层三层膜层,通过控制正己烷和四甲基硅烷的流量和沉积时间进行沉积膜层;(6)沉积DLC膜层后,进行破真空冷却至室温后,取出耐磨零部件,采用外径千分尺测量其镀膜前后的尺寸变化,得出DLC膜层的厚度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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