[发明专利]光阻回刻制程方法有效
| 申请号： | 201810453005.8 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN108597991B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 李镇全 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光阻回蚀刻制程方法，包括如下步骤：步骤一，提供一单晶硅衬底，其具有栅极、氮化硅掩模、氧化硅掩模、氮化硅侧墙和金属硅化物，所述栅极两侧的半导体衬底中有浅沟槽氧化硅以及锗硅；步骤二，覆盖一层有强沟槽填充能力的材质的涂层；步骤三，光阻覆盖，曝光显影；步骤四，氧化硅掩模回刻蚀。本发明可在不增加额外光罩下，得到更佳的OPC、光刻与干刻制程窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻回 刻制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光阻回蚀刻制程方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，提供一单晶硅衬底，其具有栅极、氮化硅掩模、氧化硅掩模、氮化硅侧墙和金属硅化物，所述栅极两侧的半导体衬底中有浅沟槽氧化硅以及锗硅；步骤二，覆盖一层有强沟槽填充能力的材质的涂层；步骤三，光阻覆盖，曝光显影；步骤四，氧化硅掩模回刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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