[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法有效
| 申请号： | 201810454873.8 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110491881B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 劳浔 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括：薄膜晶体管，电容；所述电容包括：在衬底基板上设置的第一电极层，第一绝缘层，第二电极层；所述第一电极层的正投影区域为第一区域，所述第二电极层正投影区域为第二区域；所述第一电极层，所述第一绝缘层与所述第二电极层的正投影区域的重合区域形成电容；所述第二区域的宽度为第一宽度，除所述第二区域的所述第一区域的宽度为第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示 面板 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：薄膜晶体管，电容，所述电容用于补偿电路；所述电容包括：在衬底基板上设置的第一电极层，第一绝缘层，第二电极层；所述第一电极层的正投影区域为第一区域，所述第二电极层正投影区域为第二区域；所述第一电极层，所述绝缘层与所述第二电极层的正投影区域的重合区域形成电容；/n所述第二区域的宽度为第一宽度，除所述第二区域的所述第一区域的宽度为第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
