[发明专利]支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备

摘要

本发明涉及支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备。该基板处理设备包括：腔室，其具有用于处理基板的处理空间；支撑单元，其在处理空间内支撑基板；气体供应单元，其将工艺气体供应到处理空间中；和等离子体源，其基于处理空间内的工艺气体产生等离子体。支撑单元包括：支撑板，基板放置在该支撑板上；聚焦环，其布置成围绕由支撑板所支撑的基板；和温度控制单元，其调节聚焦环的温度。温度控制单元可以包括：第一加热器，其布置成在聚焦环下方加热聚焦环并布置成与聚焦环相对；和冷却构件，其设置在第一加热器下方。

主权项

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：腔室，所述腔室具有用于处理所述基板的处理空间；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间内支撑所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元将工艺气体供应到所述处理空间中；和等离子体源，所述等离子体源基于所述处理空间内的所述工艺气体产生等离子体，其中所述支撑单元包括：支撑板，所述基板放置在所述支撑板上；聚焦环，所述聚焦环布置成围绕由所述支撑板所支撑的所述基板；和温度控制单元，所述温度控制单元调节所述聚焦环的温度，并且其中所述温度控制单元包括：第一加热器，所述第一加热器布置成在所述聚焦环下方加热所述聚焦环并布置成与所述聚焦环相对；和冷却构件，所述冷却构件设置在所述第一加热器下方。