[发明专利]一种72对棒多晶硅还原炉在审

专利信息
申请号: 201810456111.1 申请日: 2018-05-14
公开(公告)号: CN108545745A 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 茅陆荣;陈龙;彭建涛 申请(专利权)人: 上海森松新能源设备有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 上海申浩律师事务所 31280 代理人: 陈开山
地址: 201323 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种72对棒多晶硅还原炉,包括有炉体、底盘和电极,还原炉的内部分成热气流层、晶硅生长区及冷流层三个区域,冷流层位于还原炉的底部,其与底盘相接;在底盘设置有氢气喷嘴,通过氢气喷嘴朝还原炉喷射氢气气流形成冷流层;热气流层位于还原炉的顶部;底盘硅粉始终处于流化状态,因此底盘可以始终保持低的黑度系数,而具有银涂层的底盘可以进一步降低底盘黑度系数,进而大幅提升底盘热反射效率,降低还原炉热量损失,实现还原炉的节能运行,有利于国内多晶硅生产厂降低成本、提高效益,增强在国际市场的竞争力。
搜索关键词: 底盘 还原炉 冷流 多晶硅还原炉 氢气喷嘴 热气流 黑度 节能运行 流化状态 氢气气流 热量损失 多晶硅 热反射 生长区 银涂层 电极 硅粉 晶硅 炉体 喷射
【主权项】:
1.一种72对棒多晶硅还原炉,包括有炉体、底盘和电极,炉体安装于底盘上,电极位于炉体中并安装于底盘上,底盘上设置有进气口和出气口,硅芯生长于电极上,其特征在于:通过对炉体高度参数及炉体内部温度参数的控制,将该还原炉的内部分成热流层、晶硅生长区及冷流层三个区域;所述热流层位于炉体顶部,冷流层位于炉体底部,晶硅生长区位于热流层和冷流层之间;所述炉体内部还设置有硅芯安装支架。
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