[发明专利]一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810456700.X 申请日: 2018-05-14
公开(公告)号: CN108546993A 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 栾彩娜;马瑾;何林安 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B25/18;C30B25/14
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 陈桂玲
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法。本发明采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)技术,以四乙基锡(Sn(C2H5)4)为有机金属Sn源,乙醇钽(Ta(C2H5O)5)为有机金属Ta源,以氧气为氧化物,以氮气为载气,在R面蓝宝石衬底上外延生长钽掺杂氧化锡单晶薄膜。采用R面蓝宝石做衬底可以制备出沿[101]晶向生长的金红石结构的钽掺杂氧化锡薄膜,制备的钽掺杂氧化锡薄膜为单晶薄膜,且迁移率高达58.1cm2V‑1s‑1,所制备钽掺杂氧化锡单晶薄膜的晶格结构及电学性质均优于氧化锡多晶薄膜,因此是制造透明半导体器件和紫外光电子器件的重要材料。
搜索关键词: 单晶薄膜 氧化锡 制备 钽掺杂 金红石结构 晶向 钽掺杂氧化锡薄膜 有机金属 衬底 生长 有机金属化学气相淀积 透明半导体器件 紫外光电子器件 氮气 电学性质 多晶薄膜 晶格结构 四乙基锡 外延生长 重要材料 迁移率 乙醇钽 氧化物 载气 氧气 制造
【主权项】:
1.一种钽掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法,其特征在于,步骤如下:(1)将MOCVD反应室抽成高真空状态,真空度4×10‑5Pa~6×10‑4Pa,将R面蓝宝石衬底置于反应室中并加热到生长温度580~700℃;(2)打开氮气瓶阀门,向反应室通入背景N2,背景N2流量为200~800sccm,反应室压强10~100Torr,保持30~35分钟;(3)打开氧气瓶阀门,氧气流量为30~100sccm,保持8~12分钟;(4)打开有机金属Sn源瓶阀门,调节载气N2流量10~40sccm,保持8~12分钟;冷阱温度10~25℃;(5)打开有机金属Ta源瓶阀门,调节载气N2流量2~15sccm,保持8~12分钟;有机金属Ta源冷阱温度15‑50℃;(6)将步骤(3)的氧气、步骤(4)的携带有机金属Sn源载气N2和步骤(4)携带有Ta源的载气N2同时通入反应室,保持时间为180~300分钟,在R面蓝宝石衬底上外延生长钽掺杂氧化锡单晶薄膜;(7)反应结束,关闭有机金属Sn源瓶,Ta源瓶和氧气瓶阀门,用氮气冲洗管道20‑30分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学,未经山东大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810456700.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top