[发明专利]具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法有效
申请号: | 201810457279.4 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN109960104B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 林进祥;陈建诚;李信昌;陈嘉仁;许倍诚;苏益辰;李环陵;沈仓辉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/22 | 分类号: | G03F1/22;G03F1/24 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模:在衬底上方形成反射结构,在反射结构上方形成吸收层,限定光刻掩模的第一区域,以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 黑色 边界 区域 光刻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻掩模,包括:衬底;反射结构,设置在所述衬底的第一侧上方;图案化的吸收层,设置在所述反射结构上方;其中,所述光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕所述第一区域的第二区域;所述图案化的吸收层位于所述第一区域中;以及非反射材料位于所述第二区域中。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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