[发明专利]形成集成电路的方法有效
| 申请号： | 201810457817.X | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN109755119B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 程仲良;陈彦羽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请提供了具有栅极结构的集成电路和形成该集成电路的方法的实例。在一些实例中，接收工件，该工件包括具有沟道区域的衬底。在沟道区域上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成含有掺杂剂的层。将工件退火，以将掺杂剂转移到栅极电介质，以及在退火后去除层。在一些这样的实例中，在去除层之后，在栅极电介质上形成功函数层，以及在功函数层上形成填充材料以形成栅极结构。本发明还提供了形成集成电路的各种方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路的方法，包括：接收工件，所述工件包括具有沟道区域的衬底；在所述沟道区域上形成的栅极电介质；在所述栅极电介质上形成含有掺杂剂的层；将所述工件退火以将所述掺杂剂转移到所述栅极电介质；以及在所述退火后去除所述层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
