[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201810457980.6 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110491835B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片和分隔所述鳍片的隔离结构；在所述鳍片的侧壁上形成间隙壁；形成覆盖所述隔离结构、所述鳍片和所述间隙壁的隔离层；刻蚀所述隔离层形成伪栅极切割块；去除所述间隙壁；在所述鳍片上形成多晶硅伪栅极。该制作方法可以克服FinFET器件的制作中多晶硅切割掩膜的套刻控制难度大，以及替代金属栅工艺中很容易出现缺陷或孔洞的问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片和分隔所述鳍片的隔离结构；/n在所述鳍片的侧壁上形成间隙壁；/n形成覆盖所述隔离结构、所述鳍片和所述间隙壁的隔离层；/n刻蚀所述隔离层形成伪栅极切割块；/n去除所述间隙壁；/n在所述鳍片上形成多晶硅伪栅极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
