[发明专利]一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器

摘要

本发明公开了一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器，涉及集成电路技术领域，通过在POMS管M1输入复位信号PWD，对点X1、点X2、点Y1、点Y2进行充电，使得X1＝X2＝Y1＝Y2＝1；充电完成后，组合逻辑电路的输出信号Co进入延时电路的输出信号GB保护带时，进入检测部分，当组合逻辑电路未发生老化时，或非门输出低电平；当组合逻辑电路发生老化时，或非门输出高电平；当组合逻辑电路发生老化时注入软错误时仍能检测出组合逻辑电路发生老化，即或非门输出高电平。本发明优点在于：能够在组合逻辑电路发生老化时注入软错误还是组合逻辑电路未发生老化时注入软错误都能有效检测出正确的信号，并节省面积开销。

主权项

1.一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器，其特征在于，包括：第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第一C单元、第二C单元、第一反相器P、第二反相器Q、或非门；第一PMOS管P1的源极、第二PMOS管P2的源极都接电源，第一PMOS管P1的栅极输入复位信号PWD，第一PMOS管P1的漏极、第二PMOS管P2的漏极都与第三PMOS管P3的源极、第四PMOS管P4的源极、第五PMOS管P5的源极、第六PMOS管P6的源极连接，第三PMOS管P3的栅极、第四PMOS管P4的栅极、第五PMOS管P5的栅极、第六PMOS管P6的栅极、第五NMOS管N5的栅极都输入延迟电路的输出信号GB，第三PMOS管P3的漏极与第二NMOS管N2的漏极连接，第四PMOS管P4的漏极与第一NMOS管N1的漏极连接，第一C单元的第一输入端与第三PMOS管P3的漏极、第二NMOS管N2的漏极的连接线相连接交于点X1，第一C单元的第二输入端与第四PMOS管P4的漏极、第一NMOS管N1的漏极的连接线相连接交于点X2，第一C单元的输出端与第一反相器P输入端连接，第一反相器P的输出端与或非门的第一输入端连接；第五PMOS管P5的漏极与第三NMOS管N3的漏极连接，第六PMOS管P6的漏极与第四NMOS管N4的漏极连接，第二C单元的第一输入端与第五PMOS管P5的漏极、第三NMOS管N3的漏极的连接线相连接交于点Y1，第二C单元的第二输入端与第六PMOS管P6的漏极、第四NMOS管N4的漏极的连接线相连接交于点Y2，第二C单元的输出端与第二反相器Q输入端连接，第二反相器Q的输出端与或非门的第二输入端连接；第一NMOS管N1的源极、第二NMOS管N2的源极、第三NMOS管N3的源极、第四NMOS管N4的源极都与第五NMOS管N5的漏极连接；第一NMOS管N1的栅极、第二NMOS管N2的栅极都输入组合逻辑电路的输出信号Co；第三NMOS管N3的栅极、第四NMOS管N4的栅极都输入组合逻辑电路的反向信号CoB；第五NMOS管N5的源极接地，第二PMOS管P2的源极与或非门的输出端连接。