[发明专利]斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法在审
| 申请号： | 201810460141.X | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108666244A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 戴绍龙;肖正梨;胡军 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法。所述斜面刻蚀装置，用于刻蚀晶圆的边缘区域，包括：第一电极组件；第二电极组件，与所述第一电极组件相对设置，所述第二电极组件朝向所述第一电极组件的表面用于承载晶圆；旋转组件，连接所述第二电极组件，用于控制所述第二电极组件自转。本发明使得晶圆的整个边缘刻蚀效果均匀，确保了晶圆边缘形貌的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 第二电极 斜面刻蚀装置 第一电极 刻蚀 半导体制造技术 形貌 边缘区域 晶圆边缘 刻蚀效果 相对设置 旋转组件 均一性 自转 承载 | ||
【主权项】：
1.一种斜面刻蚀装置，用于刻蚀晶圆的边缘区域，其特征在于，包括：第一电极组件；第二电极组件，与所述第一电极组件相对设置，所述第二电极组件朝向所述第一电极组件的表面用于承载晶圆；旋转组件，连接所述第二电极组件，用于控制所述第二电极组件中用于承载所述晶圆的表面自转。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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