[发明专利]用于形成垂直沟道器件的方法在审
| 申请号： | 201810460195.6 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108878359A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | J·博迈尔斯 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云;杨洁 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 根据本发明概念的一方面，提供了一种用于形成垂直沟道器件的方法，该方法包括：提供包括衬底和多个垂直沟道结构的半导体结构，提供具有环绕栅极的垂直沟道结构，在所述垂直沟道结构的至少一个子集的每个垂直沟道结构的顶部上选择性地生长经掺杂半导体材料，由此形成经扩大的顶部，以及在经扩大的顶部的每一者上形成顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直沟道结构 垂直沟道器件 掺杂半导体材料 半导体结构 顶电极 衬底 子集 环绕 生长 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成垂直沟道器件的方法，所述方法包括：提供包括衬底(101)和多个垂直沟道结构(110)的半导体结构(100)，提供具有环绕栅极(112)的所述垂直沟道结构(110)，在所述垂直沟道结构(110‑1、110‑2)的至少一个子集的每个垂直沟道结构的顶部(110a)上选择性地生长经掺杂半导体材料，由此形成经扩大的顶部(110b、110c)，以及在所述经扩大的顶部(110b、110c)的每一者上形成顶电极(138)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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