[发明专利]用于形成垂直沟道器件的方法

摘要

根据本发明概念的一方面，提供了一种用于形成垂直沟道器件的方法，该方法包括：提供包括衬底和多个垂直沟道结构的半导体结构，提供具有环绕栅极的垂直沟道结构，形成嵌入各栅极并暴露每个垂直沟道结构的顶部的第一介电层，在每个顶部上形成顶电极，在顶电极的侧壁上形成侧壁蚀刻势垒，形成覆盖第一介电层和顶电极的第二介电层，形成垂直延伸的栅极接触孔的集合，每个孔暴露栅极并且每个孔通过毗邻顶电极将第一和第二介电层选择性地蚀刻至侧壁蚀刻势垒来形成，以及用导电材料填充栅极接触孔的集合。

主权项

1.一种用于形成垂直沟道器件的方法，所述方法包括：提供包括衬底(101)和多个垂直沟道结构(110)的半导体结构(100)，提供具有环绕栅极(112)的所述垂直沟道结构(110)，形成嵌入所述栅极(112)并暴露每个垂直沟道结构(110)的顶部(110a)的第一介电层(114)，在每个顶部(110a)上形成顶电极(138)，在所述顶电极(138)的侧壁上形成侧壁蚀刻势垒(140)，形成覆盖所述第一介电层(114)和所述顶电极(138)的第二介电层(142)，形成垂直延伸的栅极接触孔(162)的集合，每个孔(162)暴露栅极(112)并且每个孔(162)通过毗邻顶电极(138)将所述第一和第二介电层(114、142)选择性地蚀刻至所述侧壁蚀刻势垒(140)来形成，以及用导电材料填充所述栅极接触孔(162)的集合。