[发明专利]一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201810460613.1 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108559859B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王献辉;刘佳;刘彦峰;罗赛燕 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C9/00;C22C9/06;C22F1/02;C22F1/08 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 谈耀文 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高强度导电Cu‑Ti‑Ni‑Si合金，本发明公开了一种高强度导电Cu‑Ti‑Ni‑Si合金的制备方法，包括以下步骤，首先采用一定纯度的铜、海绵钛、镍块和硅块为原料，在真空感应熔炼炉内进行熔炼、浇注，去除表面杂质后，在一定的温度下进行均匀化和固溶处理，随后对合金进行适当的时效处理，即可获得高强度导电铜合金。通过上述方法，与现有高强度导电铜合金制备相比较，本发明的制备方法简单可行，获得的Cu‑Ti‑Ni‑Si合金综合性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强度 导电 cu ti ni si 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高强度导电Cu‑Ti‑Ni‑Si合金，其特征在于，按质量百分比由以下组分组成：Cu 91.5‑95.3％、Si 0.2‑1.2％、Ti 2.0‑3.5％、Ni 2.5‑3.8％，以上各组分质量百分比之和为100％。
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