[发明专利]包括虚设接触的半导体器件在审
| 申请号： | 201810461568.1 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN109390318A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 吴寅旭;金东铉;朴斗焕;朴晟根;朴哲弘;黄盛昱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括穿过衬底上的绝缘层的多个主接触插塞和多个虚设接触插塞。多个上部互连在绝缘层上。所述多个虚设接触插塞包括第一虚设接触插塞。所述多个上部互连包括重叠第一虚设接触插塞的第一上部互连。第一虚设接触插塞的垂直中心轴位于第一上部互连外部。 | ||
| 搜索关键词： | 接触插塞 虚设 互连 绝缘层 半导体器件 垂直中心轴 主接触 插塞 衬底 穿过 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上的绝缘层；穿过所述绝缘层的多个主接触插塞和多个虚设接触插塞；以及在所述绝缘层上的多个上部互连，其中，所述多个虚设接触插塞包括第一虚设接触插塞，所述多个上部互连包括重叠所述第一虚设接触插塞的第一上部互连，以及所述第一虚设接触插塞的垂直中心轴位于所述第一上部互连外部。
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