[发明专利]一种新型MOS结构的制备方法及得到的MOS结构有效
| 申请号： | 201810463349.7 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108598169B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 武燕庆;李栓;郑捷;李星国 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 马营营;刘冬梅 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型MOS结构的制备方法及得到的新型MOS结构，其中，所述方法如下进行：步骤1、在氩气和氧气用量比为(32～38):(4～6)的氛围下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极，得到所述MOS结构。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产；根据本发明所述方法得到的MOS结构具有优良的综合电性能，即具有较小的漏电流和较大的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 mos 结构 制备 方法 得到 | ||
【主权项】：
1.一种新型MOS结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1、在氩气和氧气用量比为(32～38):(4～6)的气氛下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极，得到所述MOS结构。
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