[发明专利]封装基板的制造方法有效
| 申请号： | 201810463541.6 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108550531B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 欧宪勋;程晓玲;韩建华 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及封装基板的制造方法。根据发明一实施例的封装基板的制造方法，其包括提供第一叠合结构，其中所述第一叠合结构包括第一金属层、第二金属层以及位于所述第一金属层与所述第二金属层之间的电容介质层；对所述第一叠合结构的所述第一金属层进行图案化处理以形成第一线路层；提供载板，所述载板具有相对的第一表面及第二表面；在所述载板的所述第一表面及所述第二表面上压合第一介电层以及经图案化处理的第一叠合结构；以及对所述第一叠合结构的所述第二金属层进行图案化处理以形成第二线路层。本发明提供的封装基板的制造方法不仅实现了封装基板内部元件的精细布局，还提高了封装基板的产出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装基板的制造方法，其包括：提供第一叠合结构，其中所述第一叠合结构包括第一金属层、第二金属层以及位于所述第一金属层与所述第二金属层之间的电容介质层；对所述第一叠合结构的所述第一金属层进行图案化处理以形成第一线路层；提供载板，所述载板具有相对的第一表面及第二表面；在所述载板的所述第一表面及所述第二表面上压合第一介电层以及经图案化处理的第一叠合结构；以及对所述第一叠合结构的所述第二金属层进行图案化处理以形成第二线路层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
