[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201810463658.4 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110491836B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上由内至外形成有若干鳍片；去除所述衬底上最外侧的所述鳍片，以在去除所述鳍片的区域形成凹槽；至少在所述凹槽顶部的水平表面上形成停止层；形成绝缘材料层，以填充所述凹槽并覆盖所述鳍片；回蚀刻所述绝缘材料层至所述停止层。根据本发明的所述半导体器件的制造方法，为了解决在FinFET器件中鳍片的高度不均一的问题，在形成鳍片之后去除最外侧的鳍片以形成凹槽，然后选用绝缘材料填充所述凹槽，通过所述方法可以避免隔离材料层的负载效应(loading effect)，以得到高度均一的鳍片，进一步提高FinFET器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供衬底，在所述衬底上由内至外形成有若干鳍片；/n去除所述衬底上最外侧的所述鳍片，以在去除所述鳍片的区域形成凹槽；/n至少在所述凹槽顶部的水平表面上形成停止层；/n形成绝缘材料层，以填充所述凹槽并覆盖所述鳍片；/n回蚀刻所述绝缘材料层至所述停止层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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