[发明专利]一种深紫外平面光波导制作方法

摘要

本发明属于光信号处理器件技术领域，涉及一种深紫外平面光波导制作方法，工艺过程包括制备基底层、制备芯层、制备保护层和制备上包层共四个步骤，材质为二氧化硅的基底层能够减少热应力，掺杂硼和磷的芯层和上包层对深紫外波段光的吸收量少，同时能够提高光波导的折射率，材质为二氧化硅的保护层能够防止芯层与上包层的互溶，基底层、芯层、保护层和上包层构成横截面为矩形结构的掺杂硼和磷的石英异质波导可以应用在深紫外波段，对生物与化学传感、医疗卫生、食品安全、海洋探测等领域的发展有重要意义；其光波导的结构和制作方法工艺简单，既能提高折射率，又能降低深紫外光的传输损耗，能够作为各种光器件的制造原材料。

主权项

1.一种深紫外平面光波导制作方法，其特征在于工艺过程包括制备基底层、制备芯层、制备保护层和制备上包层共四个步骤：(一)制备基底层：将二氧化硅基片裁剪成设定的尺寸，完成基底层的制备；(二)制备芯层：采用等离子增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、低压化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)、化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition)或火焰法(Flame Hydrolysis Method)在基底层的上表面生长含有硼和磷的二氧化硅，完成芯层的制备；(三)制备保护层：按照设定的尺寸裁减掉部分基底层和芯层，基底层上的凸起为凸台，基底层和芯层形成凸状结构，采用气相沉积或硅烷法在凸状结构的上表面生长一层多晶硅膜或纯硅膜，使用热氧化工艺将多晶硅莫或硅膜氧化成二氧化硅，完成保护层的制备；(四)制备上包层：采用等离子增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、低压化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)、化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition)或火焰法(Flame Hydrolysis Method)在保护层的上表面生长含有硼和磷的二氧化硅，完成上包层的制备，其中，硼和磷在上包层的二氧化硅中的含量小于硼和磷在芯层的二氧化硅中的含量，得到深紫外平面光波导。