[发明专利]一种单晶碳化硅衬底晶片清洗方法有效
| 申请号： | 201810466773.7 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108648989B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 陈文鹏;张洁;林武庆;赖柏帆 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶碳化硅衬底晶片清洗方法，包括以下步骤：步骤S10，冲洗处理：将抛光后的单晶碳化硅衬底晶片放到陶瓷盘中，调整水压调节阀，使水通过尖嘴喷水口打在陶瓷盘上的晶片，控制水流量去除晶体表面残留的抛光液和大颗粒的金属粒子等污染物；步骤S20，低频纯水超声处理；步骤S30，药液处理；步骤S40，QDR处理。本发明整道清洗制程后可以达到晶片表面0.5um的颗粒度≤1000，合格率在90％以上，对比现行的清洗效果有显著的提升，送入无尘室进行最终清洗，晶片的通过率相对原工艺提升13％～18％，因来料颗粒度减少且稳定性高，使得无尘室清洗机药剂寿命延长25％～30％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 衬底 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶碳化硅衬底晶片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S10，冲洗处理：将抛光后的单晶碳化硅衬底晶片放到陶瓷盘中，调整水压调节阀，使水通过尖嘴喷水口打在陶瓷盘上的晶片，控制水流量去除晶体表面残留的抛光液和大颗粒的金属粒子等污染物，通过转动陶瓷盘使水扫过陶瓷盘上晶片的每个位置；步骤S20，低频纯水超声处理：将步骤S10冲洗后的单晶碳化硅衬底晶片放入低频纯水超声槽，进一步去除单晶碳化硅衬底晶片表面的大颗粒的污染物；步骤S30，药液处理：将步骤S20低频纯水超声处理后的单晶碳化硅衬底晶片放入药液槽中，使用清洗剂清洗小颗粒的污染物；步骤S40，QDR处理：将步骤S30药液处理后的单晶碳化硅衬底晶片放入QDR槽中，进行单晶碳化硅衬底晶片的表面清洗及残余清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
