[发明专利]晶圆弯曲度的确定方法以及扫描设备有效
| 申请号： | 201810469620.8 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108666229B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张杰真;刘命江;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G01B11/24;G01B17/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆弯曲度的确定方法以及扫描设备，所述晶圆弯曲度的确定方法包括：确定晶圆基座的表面与水平面之间的水平夹角；提供晶圆，将所述晶圆设置于所述晶圆基座的表面；测量所述晶圆的中心点至预设测量平面的距离，记为第一距离，所述预设测量平面平行于水平面；测量所述晶圆的边缘点至所述预设测量平面的距离，记为第二距离，所述边缘点位于所述晶圆的边缘；根据所述第一距离、第二距离以及所述水平夹角，确定所述晶圆弯曲度。本发明方案可以在测量晶圆的弯曲度时，避免翻转晶圆，并且有助于降低测量时长，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 弯曲 确定 方法 以及 扫描 设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆弯曲度的确定方法，其特征在于，包括：确定晶圆基座的表面与水平面之间的水平夹角；提供晶圆，将所述晶圆设置于所述晶圆基座的表面；测量所述晶圆的中心点至预设测量平面的距离，记为第一距离，所述预设测量平面平行于水平面；测量所述晶圆的边缘点至所述预设测量平面的距离，记为第二距离，所述边缘点位于所述晶圆的边缘；根据所述第一距离、第二距离以及所述水平夹角，确定所述晶圆弯曲度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
