[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810470033.0 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108962898B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;H10B51/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及制造半导体器件的方法。为了使主要由Hf和Zr中的至少一种以及O组成的金属氧化物膜显示出铁电特性。在经由绝缘膜在半导体衬底上沉积氧化铪膜之后，半导体衬底被暴露给微波以选择性地加热氧化铪膜。这使得可以在氧化铪膜的晶体中形成更多数量的正交晶体。因此，如此得到的氧化铪膜可以显示出铁电特性，而不需向其中添加诸如Si的杂质。这意味着具有反向尺寸效应的氧化铪膜可用作铁电存储单元的铁电膜，并且有助于小型化的铁电存储单元的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底之上沉积金属氧化物膜，所述金属氧化物膜具有Hf和Zr中的至少一种以及O作为主要组分；(b)在所述金属氧化物膜之上沉积导体膜；以及(c)使所述金属氧化物膜经受微波热处理。
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