[发明专利]分栅SONOS闪存存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种分栅SONOS闪存存储器的制造方法，包括：衬底上生长选择管栅氧化层；淀积第一多晶硅poly层、氧化硅层、氮化硅层，光刻打开并依次刻蚀形成选择管多晶硅栅；刻蚀去除选择管多晶硅栅外的栅氧化层，淀积ONO层；选择性刻蚀去除逻辑区的ONO层，形成逻辑区栅氧化层；淀积第二多晶硅poly层；进行化学机械研磨和刻蚀使存储管多晶硅与选择管多晶硅高度一致；淀积氧化层并刻蚀，在选择管多晶硅上方的氮化硅层两侧形成侧墙；利用光刻胶和侧墙分别定义出逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅，进行自对准干法刻蚀同时形成逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅。本发明可以更好地保证存储管多晶硅栅的形貌，提高器件的性能，而且可以有效缩小器件尺寸。

主权项

1.一种分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：步骤1，在衬底上生长选择管栅氧化层；步骤2，淀积第一多晶硅poly层、氧化硅层；步骤3，淀积氮化硅层；步骤4，光刻打开并依次刻蚀氮化硅层、氧化硅层和第一多晶硅poly层，形成选择管多晶硅栅；步骤5，在选择管多晶硅栅侧壁形成氧化层；步骤6，刻蚀去除选择管多晶硅栅以外区域的栅氧化层，淀积形成ONO层；步骤7，选择性刻蚀去除逻辑区的ONO层，形成逻辑区栅氧化层；步骤8，在硅片上淀积第二多晶硅poly层；步骤9，进行化学机械研磨；步骤10，刻蚀第二多晶硅poly层，直至第二多晶硅poly层的高度与选择管多晶硅栅的高度一致；步骤11，淀积氧化层并刻蚀，在选择管多晶硅栅上方的氮化硅层两侧形成侧墙；步骤12，利用光刻胶和氮化硅层两侧的侧墙分别定义出逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅，进行自对准干法刻蚀同时形成逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅；步骤13，去除光刻胶，在逻辑区晶体管多晶硅栅的两侧和顶面以及存储管多晶硅栅的侧壁形成氧化层侧墙；步骤14，进行轻掺杂漏的注入；步骤15，淀积氮化硅层并刻蚀，在逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅形成氮化层侧墙；步骤16，源漏注入；步骤17，进行后续工艺，完成SONOS闪存存储器的制造。