[发明专利]时钟控制的施密特触发器及其在锁存器中的应用在审
| 申请号： | 201810471580.0 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108649929A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋建伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/3565 | 分类号： | H03K3/3565;H03K3/013 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种时钟控制的施密特触发器，第一晶体管的源极与VDD连接，其栅极输入CLKB，其漏极与第二晶体管的源极连接；第二晶体管的漏极与第三、四晶体管的源极连接，第四晶体管的漏极接地；第三晶体管和第三NMOS晶体管的漏极与第四晶体管和第四NMOS晶体管的栅极连接；第三、四NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的漏极连接，第四NMOS晶体管的漏极与VDD连接；第二NMOS晶体管的源极与第一NMOS晶体管的漏极连接；第一NMOS晶体管的栅极输入CLK，其源极接地；第二、三晶体管的栅极、第二、三NMOS晶体管的栅极作为输入端。本发明还公开了所述施密特触发器在锁存器中的应用。本发明具有高阈值，能过滤输入端软错误。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 漏极 施密特触发器 源极 时钟控制 源极连接 栅极输入 输入端 锁存器 源极接地 栅极连接 接地 过滤 应用 | ||
【主权项】：
1.一种时钟控制的施密特触发器，其特征在于：由四个PMOS晶体管和四个NMOS晶体管组成；第一PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，其栅极输入信号CLKB，其漏极与第二PMOS晶体管的源极相连接；第二PMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的源极和第四PMOS晶体管的源极相连接，，第四PMOS晶体管的漏极接地；第三PMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的漏极、第四PMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极相连接，且其连接的节点作为施密特触发器的输出端Vo；第三NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的漏极和第四NMOS晶体管的源极相连接，第四NMOS晶体管的漏极与电源电压端VDD相连接；第二NMOS晶体管的源极与第一NMOS晶体管的漏极相连接，第一NMOS晶体管的栅极输入时钟信号CLK，第一NMOS晶体管的源极接地；第二PMOS晶体管的栅极、第三PMOS晶体管的栅极、第三NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极作为施密特触发器的输入端VI；其中，信号CLKB为时钟信号CLK经过一级反相器反相后得到的信号。
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