[发明专利]三维存储器以及三维存储器的制造方法在审
| 申请号： | 201810471990.5 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108550577A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 汤召辉;肖莉红;陶谦;胡禺石;王恩博 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11514 | 分类号： | H01L27/11514;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周全 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器及其制造方法，提供栅极预留堆叠结构，所述栅极预留堆叠结构包括若干层间隔排列的栅极预留层、以及穿过所述栅极预留堆叠结构的柱状结构，所述柱状结构包括沟道层以及至少环绕所述沟道层的存储器层；在所述柱状结构的上方形成漏极；所述漏极的侧壁与所述存储器层的外侧壁对齐，或者，所述漏极沿所述柱状结构的径向向外的方向突出于所述存储器层的外侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 柱状结构 三维存储器 存储器层 堆叠结构 漏极 预留 沟道层 外侧壁 径向向外 对齐 层间隔 预留层 侧壁 制造 环绕 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供栅极预留堆叠结构，所述栅极预留堆叠结构包括若干层间隔排列的栅极预留层、以及穿过所述栅极预留堆叠结构的柱状结构，所述柱状结构包括沟道层以及至少环绕所述沟道层的存储器层；在所述柱状结构的上方形成漏极；所述漏极的侧壁与所述存储器层的外侧壁对齐，或者，所述漏极沿所述柱状结构的径向向外的方向突出于所述存储器层的外侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
