[发明专利]接触结构有效
| 申请号： | 201810472293.1 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110071091B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 舒杰辉;吴旭升;黄海苟;张宏光;刘佩;L·埃科诺米可斯 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及接触结构。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及位于有源栅极结构之上的接触以及制造方法。所述结构包括：由位于侧壁材料之间的导电材料构成的有源栅极结构；位于所述侧壁材料上方的上侧壁材料，所述上侧壁材料与所述侧壁材料的材料不同；以及与所述有源栅极结构中的所述导电材料电接触的接触结构。所述接触结构位于所述侧壁材料之间和所述上侧壁材料之间。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：由位于侧壁材料之间的导电材料构成的有源栅极结构；位于所述侧壁材料上方的上侧壁材料，所述上侧壁材料与所述侧壁材料的材料不同；以及与所述有源栅极结构中的所述导电材料电接触的接触结构，所述接触结构位于所述侧壁材料之间和所述上侧壁材料之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯美国公司，未经格芯美国公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810472293.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低功耗高可靠性激光熔丝电路
- 下一篇：半导体器件
