[发明专利]用于多前体流的半导体处理腔室有效
| 申请号： | 201810472445.8 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108962715B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | D·杨;M·T·萨米尔;D·卢伯米尔斯基;P·希尔曼;S·帕克;M·Y·崔;L·朱;N·英格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多前体流 半导体 处理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理系统，包括：处理腔室；远程等离子体单元，与所述处理腔室耦合；以及适配器，与所述远程等离子体单元耦合，其中，所述适配器包括第一端和与所述第一端相对的第二端，其中，所述适配器限定通过所述适配器的中央通道，其中，所述适配器在所述第二端处限定从第二通道的出口，其中，所述适配器在所述适配器的所述第二端处限定从第三通道的出口，并且其中，所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道各自在所述适配器内互相流体隔离。
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