[发明专利]基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810476802.8 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110504327B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 于国浩;何涛;张晓东;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/34;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管及其制作方法。所述基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管包括导电衬底，所述导电衬底的第一表面设有一个以上半导体纳米凸起部，所述半导体纳米凸起部的顶端与第一电极电连接，且所述半导体纳米凸起部与第一电极形成肖特基接触，所述导电衬底的第二表面与第二电极电连接，所述第二表面与第一表面相背对设置，所述半导体纳米凸起部的高度小于或等于载流子平均自由程。本发明的肖特基二极管在应用时，载流子在半导体纳米柱间的传输以弹道输运或准弹道输运的方式进行，实现了更低导通电阻、更快工作频率、更少工作能耗和更小器件尺寸的肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 阵列 弹道 输运 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管，其特征在于包括导电衬底，所述导电衬底的第一表面设有一个以上半导体纳米凸起部，所述半导体纳米凸起部的顶端与第一电极电连接，且所述半导体纳米凸起部与第一电极形成肖特基接触，所述导电衬底的第二表面与第二电极电连接，所述第二表面与第一表面相背对设置，所述半导体纳米凸起部的高度小于或等于载流子平均自由程。/n
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