[发明专利]一种基于BCD工艺的高压浮动轨LDO有效
| 申请号： | 201810477301.1 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108646848B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 罗萍;张辽;王强;凌荣勋;甄少伟;周泽坤 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于BCD工艺的高压浮动轨LDO，属于集成电路技术领域。包括浮动轨电路、误差放大器、调整管、第一分压采样电阻和第二分压采样电阻，浮动轨电路为误差放大器提供低压电源，浮动轨电路包括电流源和多个栅漏短接的带埋层的MOS管构成的串联结构，多个MOS管构成的串联结构的一端连接输入电压，另一端作为浮动电压端连接误差放大器电源轨的低电压端和电流源的负向端；带埋层的MOS管的外延层连接浮动电压端。通过改变浮动轨电路中带埋层的MOS管的个数可以自由选择误差放大器的电源轨，增大了误差放大器设计的灵活度；同时利用BCD工艺中的埋层电位，选择带埋层的PMOS管设计误差放大器，在保证误差放大器高性能同时，进一步压缩了高压LDO芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 误差放大器 浮动轨 埋层 电路 分压采样电阻 串联结构 电流源 电压端 电源轨 浮动 集成电路技术 电位 低电压端 低压电源 输入电压 一端连接 栅漏短接 自由选择 调整管 灵活度 外延层 负向 压缩 保证 | ||
【主权项】：
1.一种基于BCD工艺的高压浮动轨LDO，包括误差放大器、调整管、第一分压采样电阻(R1)和第二分压采样电阻(R2)，第一分压采样电阻(R1)和第二分压采样电阻(R2)串联，其串联点连接误差放大器的正向输入端，第一分压采样电阻(R1)的另一端连接调整管的漏极并作为所述高压浮动轨LDO的输出端，第二分压采样电阻(R2)的另一端接地(VSS)；误差放大器的负向输入端连接基准电压(VREF)，其输出端连接调整管的栅极；调整管的源极和误差放大器电源轨的高电压端连接输入电压(VIN)；其特征在于，所述高压浮动轨LDO还包括浮动轨电路，所述浮动轨电路包括电流源(Ibias)和多个栅漏短接的带埋层的MOS管构成的串联结构，所述串联结构的一端连接所述输入电压(VIN)，另一端作为浮动电压端(Vfloating)连接所述误差放大器电源轨的低电压端和电流源(Ibias)的负向端；电流源(Ibias)的正向端接地(VSS)；所述串联结构中带埋层的MOS管的外延层连接所述浮动电压端(Vfloating)。
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