[发明专利]一种大功率双极型半导体器件宽基区集总电荷建模方法有效
| 申请号： | 201810477732.8 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108763696B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 段耀强;李鑫;罗毅飞;刘宾礼;黄永乐;肖飞 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军海军工程大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F119/02;G06F119/04 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军 |
| 地址： | 430033 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率双极型半导体器件宽基区集总电荷建模方法。它将宽基区分成宽度相等的n个区域，采用n个集总电荷来分别表示n个区域内的电荷分布，n≥3，根据区域的电荷分布以及电荷运动机理定义漂移电流和扩散电流，通过电流密度方程确定相邻区域之间的空穴电流和电子电流，根据电流连续性方程确定每个区域电荷引起的复合电流，以空穴电流、电子电流和复合电流为基础建立宽基区集总电荷模型。本发明提高了宽基区集总电荷模型的仿真精度，实现对多工况下的大功率双极型半导体器件宽基区内电荷量的准确计算。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 双极型 半导体器件 宽基区集总 电荷 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大功率双极型半导体器件宽基区集总电荷建模方法，其特征在于：将宽基区分成宽度相等的n个区域，采用n个集总电荷来分别表示n个区域内的电荷分布，n≥3，根据区域的电荷分布以及电荷运动机理定义漂移电流和扩散电流，通过电流密度方程确定相邻区域之间的空穴电流和电子电流，根据电流连续性方程确定每个区域电荷引起的复合电流，以空穴电流、电子电流和复合电流为基础建立宽基区集总电荷模型。
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