[发明专利]一种无胶自排气保护膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810478271.6 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108417524A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 顾正青;温强;计建荣 | 申请（专利权）人： | 苏州世华新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的无胶自排气保护膜包含一薄膜基材，薄膜表面具有等级凸起结构。第一级凸起结构形成于该薄膜表面，形成微米尺度的凸起阵列，第二级纳米尺度凸起结构位于第一级凸起结构之上，产生“壁虎脚”效应，通过两级凸起结构来适应起伏粗糙的被贴附物表面，实现保护膜纳米尺度凸起与被帖物之间的理想接触，进而保证大量范德华力的叠加产生足够的黏附力；同时，等级凸起结构之间的间隙提具有等级孔道的供导气孔路以实现快速排气，保证大面积的理想贴合。 | ||
| 搜索关键词： | 凸起结构 保护膜 薄膜表面 纳米尺度 第一级 自排气 无胶 薄膜基材 范德华力 快速排气 凸起阵列 微米尺度 壁虎脚 导气孔 孔道 两级 贴附 贴合 凸起 黏附 制备 叠加 粗糙 保证 | ||
【主权项】：
1.一种无胶自排气保护膜，其特征在于：包含薄膜基材，和设置于薄膜一侧具有等级凸起结构，所述等级凸起结构包含设置于薄膜表面的一级微米尺度凸起结构，和设置于一级凸起结构另一侧的二级纳米尺度凸起结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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