[发明专利]一种纯硅沸石膜复合体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810478582.2 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108654321A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张惠宝;赵忆娜 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/22 | 分类号： | B01D53/22;B01D71/02 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纯硅沸石膜复合体及其制备方法，所述纯硅沸石膜复合体包括多孔载体和覆盖在所述多孔载体表面的纯硅沸石膜，所述纯硅沸石膜的厚度为微米级或亚微米级，所述纯硅沸石膜部分嵌入多孔载体中并与多孔载体结合为一个整体。所述纯硅沸石膜厚度超薄，为微米级或亚微米级，这样就大大降低了纯硅沸石膜复合体的渗透阻力，增加了其渗透通量，本发明所述纯硅沸石膜复合体气体分离效果好，其对小分子气体的分离效果指标为3×10‑5～3×10‑4。 | ||
| 搜索关键词： | 沸石膜 纯硅 复合体 多孔载体 亚微米级 微米级 制备 多孔载体表面 气体分离效果 小分子气体 分离效果 渗透通量 嵌入 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种纯硅沸石膜复合体，其特征在于，包括多孔载体和覆盖在所述多孔载体表面的纯硅沸石膜，所述纯硅沸石膜的厚度为微米级或亚微米级，所述纯硅沸石膜部分嵌入多孔载体中并与多孔载体结合为一个整体。
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