[发明专利]半导体器件及其存储系统和用于控制刷新操作的方法有效
| 申请号： | 201810478736.8 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108958962B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈永栽;金俊宇;宋永旭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C11/406;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，半导体器件可以包括：弱点检测器，其被配置为通过将存储器件分成多个区域来管理错误发生信息，基于错误发生信息而在多个区域的每个区域处控制针对第一刷新请求的第一刷新周期，以及基于错误发生信息而产生针对包括在多个区域的每个区域中的第二刷新地址的第二刷新请求；以及刷新控制器，其被配置为根据第一刷新周期来产生第一刷新命令，并将第一刷新命令输出到存储器件，并且被配置为根据第二刷新请求和第二刷新地址来将第二刷新命令和第二刷新地址输出到存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 存储系统 用于 控制 刷新 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：清理电路，其被配置为参考从ECC电路输出的已校正的数据来执行用于存储器件的清理操作；弱点检测器，其被配置为通过基于从清理电路输出的发生错误的地址而将存储器件划分成多个区域来管理错误发生信息，基于错误发生信息而在所述多个区域的每个区域处控制针对第一刷新请求的第一刷新周期，以及基于错误发生信息而产生针对包括在所述多个区域的每个区域中的第二刷新地址的第二刷新请求；以及刷新控制器，其被配置为根据第一刷新周期产生第一刷新命令并且将第一刷新命令输出到存储器件，并且被配置为根据第二刷新请求和第二刷新地址来将第二刷新命令和第二刷新地址输出到存储器件。
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