[发明专利]一种二维纳米二硫化钛及其薄膜电极的制备方法

摘要

一种二维纳米二硫化钛及其薄膜电极的制备方法，属于电化学技术领域，其中二维纳米二硫化钛的制备，包括如下步骤：将硫源、溶剂和四氯化钛加入高压釜中，在180‑300℃反应0.5~12小时；硫源与四氯化钛的摩尔比为1:（0.09~2），溶剂的量为高压釜容积的40%~70%，硫源为硫脲或二甲基硫脲，溶剂为甲苯或二甲苯。本发明通过涂布法得到二维纳米二硫化钛薄膜电极、二维纳米二硫化钛柔性胶带基电极、原位生长法制备二维纳米二硫化钛薄膜电极，上述电极稳定性好、使用寿命长，光电性能佳，可代替铂金电极的二维纳米二硫化钛材料及其特种薄膜电极。

主权项

1. 一种原位生长法制备二维纳米二硫化钛薄膜电极的方法，其特征在于，步骤如下：将固态基底浸入饱和的硫脲或二甲基硫脲水溶液中，用提拉法在基底表面沉积一层厚度为10‑50微米硫脲，干燥后置入高压釜中，高压釜中含有溶剂50‑70ml、四氯化钛0.5‑2 ml，然后在温度为180‑300℃的恒温烘箱中反应0.5~12小时；反应完成后，冷却、洗涤，得到原位生长法制备的二维纳米TiS₂薄膜电极，其中，所述溶剂为甲苯或二甲苯。