[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201810480065.9 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108682692A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李小龙;白金超;郭会斌;韩笑;宋勇志 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于提高TFT沟道的制作精度。所述薄膜晶体管包括源漏极；该源漏极包括金属基底以及覆盖金属基底的致密导电层，致密导电层的致密性大于金属基底的致密性。所述制作方法包括：提供一衬底基板，衬底基板上形成有薄膜晶体管的有源层；在有源层背向衬底基板的表面依次沉积金属基底和致密导电层，致密导电层的致密性大于金属基底的致密性；依次对致密导电层和金属基底进行光刻，由光刻处理后的金属基底和致密导电层形成薄膜晶体管的源漏极。本发明实施例提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置用于窄沟道的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 致密 金属基 导电层 致密性 衬底基板 显示装置 阵列基板 源漏极 制作 源层 导电层形成 沉积金属 光刻处理 窄沟道 光刻 基底 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括源漏极，所述源漏极包括金属基底以及覆盖所述金属基底的致密导电层；所述致密导电层的致密性大于所述金属基底的致密性。
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