[发明专利]一种表面增强拉曼散射基底的制备方法

摘要

本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底的制备方法。本发明包括首先清洗用于沉积样品的Si衬底，然后将衬底放置在样品架上，样品架与靶表面平行并且相距55mm。当真空腔内本底气压低于6×10－6mbar时，通入流速为40sccm的混合气体，从而溅射铜靶；溅射镀膜后，将Cu3N薄膜样品取出并放入SEM样品室，抽真空，选择电子束曝光模式，调节电子束聚焦，使电子束束斑控制在1微米左右，对Cu3N薄膜选定区域进行电子束曝光。最后启用SEM扫描模式，对曝光区进行SEM成像，观测曝光后形貌。本发明制备的基底具有表面增强拉曼散射的效应，且具有纳米级的粗糙表面，为产生“热点”提供了一种新的可能性。

主权项

1.一种表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1.将用于沉积样品的Si衬底依次用洗洁精、丙酮、无水酒精和去离子水各超声清洗15分钟，待用；步骤2.将清洗好的Si衬底放置在磁控溅射的样品台上，其中第一个样品台为空，其他三个样品台放置Si衬底；并将铜靶当前位置对准第一个样品台；四个样品台与铜靶表面均设置在真空腔内，且样品台与铜靶表面平行并且相距55mm‑60mm；步骤3.关腔门，抽真空；当真空腔内本底真空气压低于6×10－6mbar时，向真空腔内通入流速为20‑40sccm的混合气体，混合气体包括氮气和氩气，且氮气和氩气的流量比为20:1‑5：1；调节插板阀的开度，从而调节真空腔内的工作气压，使得工作气压保持在0.8‑1.2Pa；步骤4.打开射频源，预热5‑10分钟，开启射频，增加射频功率至预溅射功率，预溅射功率为50‑150W；观察真空腔内是否起辉；若起辉，则跳转到步骤5，若没有起辉，则继续增加预溅射功率，若预溅射功率为150W扔没起辉，则增加氩气含量，直至起辉，然后跳转至步骤5；步骤5.调节混合气体的比例，将氩气的流量将为0，同时增加氮气流量，保持中流量不变；预溅射镀膜30min，从而稳定真空腔内等离子体，同时清洗铜靶表面；步骤6.旋转样品台，将铜靶当前位置对准第二个样品台，溅射镀膜5‑30min后；然后再旋转样品台，直至第三个样品台与第四个样品台都完成溅射镀膜；步骤7.再次旋转样品台，将铜靶当前位置对准第一个样品台，降低射频功率，关闭射频加载并停止通入氮气；2‑3分钟后关闭射频源电源；开腔，将三个样品台上的Cu3N薄膜样品取出；步骤8.将Cu3N薄膜样品放入SEM样品室，抽真空，选择电子束曝光模式，调节电子束聚焦，使电子束束斑控制在200nm‑1000nm，对Cu3N薄膜选定区域进行电子束曝光；步骤9.曝光结束后，启用SEM扫描模式，对曝光区进行SEM成像，观测曝光后形貌，若形貌为纳米多孔结构，则取样进行拉曼测试。