[发明专利]切割晶圆的方法及半导体芯片

摘要

各种实施例涉及切割晶圆的方法及半导体芯片。一种切割晶圆的方法可以包括：在晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，有源区通过一定高度从晶圆的第一表面延伸到晶圆中并且被分离区域分离，分离区域没有金属；在至少一个分离区域中通过从晶圆的第一表面进行等离子体刻蚀而在晶圆中形成至少一个沟槽。该至少一个沟槽比多个有源区更远地延伸到晶圆中。方法可以进一步包括处理在分离区域中的晶圆的剩余部分以将晶圆分离成单独的芯片。

主权项

1.一种切割晶圆的方法，所述方法包括：在所述晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，所述有源区通过一定高度从所述晶圆的第一表面延伸到所述晶圆中并且被分离区域分离；在至少一个分离区域中通过从所述晶圆的所述第一表面进行等离子体刻蚀而在所述晶圆中形成至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽比所述多个有源区更远地延伸到所述晶圆中；以及处理在所述至少一个分离区域中的所述晶圆的剩余部分以将所述晶圆分离成单独的芯片，其中处理所述晶圆的所述剩余部分包括激光烧蚀、激光隐形切割和锯切中的至少一种。