[发明专利]检测对准偏移的方法有效
申请号: | 201810482595.7 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN108695185B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 曹子贵 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种检测对准偏移的方法,通过比较相邻两列接触孔的总电阻,判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。由于接触孔位于控制栅的两端,当所述接触孔与控制栅发生了移位时,势必会造成接触孔与控制栅之间接触的面积发生改变,进而改变接触孔的电阻,所以通过比较所述相邻两列接触孔的总电阻是否相同,可以简单有效的判断所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求,若产生移位,可以对机台进行调整,避免批量不良品的产生。 | ||
搜索关键词: | 检测 对准 偏移 方法 | ||
【主权项】:
1.一种检测对准偏移的方法,其特征在于,所述检测对准偏移的方法包括:提供衬底,所述衬底中形成有浅槽隔离结构;在所述浅槽隔离结构上形成多列控制栅层,相邻两列所述控制栅层交错排布,每列所述控制栅层包括多个控制栅,在所述控制栅层形成沿着行方向交替排布的第一隔离结构和第二隔离结构,在列方向上,所述第一隔离结构较所述第二隔离结构窄,每个所述控制栅横跨所述第一隔离结构,同一列的相邻的两个控制栅被所述第二隔离结构分隔;在每个所述控制栅的两端均形成接触孔,其中,一接触孔靠近所述第一隔离结构,另一接触孔靠近所述第二隔离结构;将每列控制栅层的所有接触孔串联,检测每列接触孔的总电阻,通过比较相邻两列接触孔的总电阻,判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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