[发明专利]LTPS TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种LTPS TFT基板的制作方法，通过对栅极金属层进行两次蚀刻，以采用自对准的方式完成对多晶硅有源层的离子重掺杂和离子轻掺杂，能够使得多晶硅有源层的LDD结构在栅极两侧对称分布，有利于提高器件特性，相较于传统技术更为稳定可靠，并可以减少制程光罩数量，节省光罩成本、运行成本、材料成本和时间成本，并进一步通过栅极绝缘层薄化工艺，减薄对应于多晶硅有源层重掺杂区域上方的栅极绝缘层的厚度，可以有效提高离子注入效率。

主权项

1.一种LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成缓冲层(20)，在所述缓冲层(20)上形成多晶硅材料层并对多晶硅材料层进行图案化，得到多晶硅有源层(30)；步骤S2、形成覆盖多晶硅有源层(30)的栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积形成栅极金属层(50)；步骤S3、在所述栅极金属层(50)上涂布光阻，经曝光、显影后得到对应于所述多晶硅有源层(30)中部上方的光阻层(90)，以所述光阻层(90)为遮蔽层，对所述栅极金属层(50)进行第一次蚀刻形成位于多晶硅有源层(30)中部上方的准栅极(51)；步骤S4、以所述光阻层(90)和准栅极(51)为遮蔽层，对栅极绝缘层(40)进行蚀刻，以减薄多晶硅有源层(30)两端上方栅极绝缘层(40)的厚度；步骤S5、以所述光阻层(90)和准栅极(51)为遮蔽层，对所述多晶硅有源层(30)进行离子重掺杂，形成多晶硅有源层(30)两端的源漏极接触区(31)；步骤S6、对所述栅极金属层(50)进行第二次蚀刻，使所述准栅极(51)两侧被横向蚀刻而宽度减小，由准栅极(51)得到栅极(55)，剥离去除光阻层(90)；步骤S7、以所述栅极(55)为遮蔽层，对所述多晶硅有源层(30)进行离子轻掺杂，得到多晶硅有源层(30)中部的对应位于所述准栅极(51)下方的沟道区(32)以及位于所述源漏极接触区(31)和沟道区(32)之间的LDD区(33)。