[发明专利]离子通道路径系统的校正检测方法有效
申请号: | 201810483319.2 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN108732638B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 汪政明;张凌越;徐继六;刘勰 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01V8/20 | 分类号: | G01V8/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种离子通道路径系统的校正检测方法,所述离子通道路径系统的校正检测方法包括:从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败。 | ||
搜索关键词: | 离子 通道 路径 系统 校正 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种离子通道路径系统的校正检测方法,其特征在于,所述离子通道路径系统的校正检测方法包括:从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败。
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