[发明专利]电镀设备及电镀方法有效
| 申请号： | 201810487847.5 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110512248B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 贾照伟;王坚;王晖;杨宏超 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D17/06;C25D17/00;C25D17/12;C25D21/12;C25D5/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种电镀设备，在晶圆表面进行电镀，该电镀设备具有多个电极，多个电极在晶圆表面形成电场，其中在指定区域形成独立电场，独立电场的强度为独立控制，当晶圆缺口处于指定区域时，晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。本发明还提出一种电镀方法，使用具有多个电极的电镀设备在晶圆表面进行电镀，控制多个电极在晶圆表面形成电场，其中在指定区域形成独立电场，独立电场的强度为独立控制，当晶圆缺口处于所述指定区域时，晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。该电镀设备和电镀方法，通过直接控制电场强弱的方式来控制晶圆缺口区域的电镀高度，与单纯依靠改变晶圆转速的传统方法相比，该控制更加准确可靠，且电镀效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电镀设备，在晶圆表面进行电镀，该电镀设备具有多个电极，多个电极在晶圆表面形成电场，其中在指定区域形成独立电场，独立电场的强度为独立控制，当晶圆缺口处于所述指定区域时，晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。/n
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